三星2019年旗舰机Galaxy S10发布日期即将到来，相关的产品消息也在逐渐露出水面，1月30日三星发布了旗下的最新闪存芯片——容量高达1TB的eUFS芯片，或将在Galaxy S10 顶配上使用。
对三星有过了解的人都知道，三星家大业大拥有众多产业，甚至围绕整个手机生产制造的一系列生产都早已具备。三星的闪存芯片业务也是其中的一个代表性业务，在带来128GB的eUFS芯片四年后，又进一步突破带来了1TB的eUFS芯片。
1TB eUFS采用三星的第五代V-NAND技术制造，存储容量达到了现在手机主流存储容量64GB的20倍，写入速度260 MB/s，读取速度1000 MB/s，达到了microSD卡的10倍速度，非常适合需要进行大容量存储的场景。
1TB eUFS芯片的封装尺寸控制在了和2017年底发布的512GB eUFS同样的大小（11.5mm x 13.0mm）内，也就是说采用512GB eUFS芯片设计的手机有机会换用1TB eUFS芯片。
三星在MWC 2019开幕前发布适用于手机平板的1TB eUFS，难免让人联想到即将在2月20日发布的三星2019年旗舰机Galaxy S10系列，其中较大的Galaxy S10 采用6.4英寸AMOLED屏幕，支持屏下指纹并在屏幕右上角放入了双摄像头，背面放置了后置三摄像头组合。
如此强悍的外部设计，内在的硬件自然也十分强劲，传闻S10 在采用高通最新的骁龙855平台的同时，提供12GB内存 1TB存储的顶配版本，其中国行版S10/S10 都有望搭载最低8GB容量的内存。
假使Galaxy S10 顶配使用上了三星新发布的1TB eUFS，那么这将是首款采用单芯片1TB存储的手机，此前定价8848元的1TB版坚果R1采用了两颗512GB UFS的组合。
对三星有过了解的人都知道，三星家大业大拥有众多产业，甚至围绕整个手机生产制造的一系列生产都早已具备。三星的闪存芯片业务也是其中的一个代表性业务，在带来128GB的eUFS芯片四年后，又进一步突破带来了1TB的eUFS芯片。
1TB eUFS采用三星的第五代V-NAND技术制造，存储容量达到了现在手机主流存储容量64GB的20倍，写入速度260 MB/s，读取速度1000 MB/s，达到了microSD卡的10倍速度，非常适合需要进行大容量存储的场景。
1TB eUFS芯片的封装尺寸控制在了和2017年底发布的512GB eUFS同样的大小（11.5mm x 13.0mm）内，也就是说采用512GB eUFS芯片设计的手机有机会换用1TB eUFS芯片。
三星在MWC 2019开幕前发布适用于手机平板的1TB eUFS，难免让人联想到即将在2月20日发布的三星2019年旗舰机Galaxy S10系列，其中较大的Galaxy S10 采用6.4英寸AMOLED屏幕，支持屏下指纹并在屏幕右上角放入了双摄像头，背面放置了后置三摄像头组合。
如此强悍的外部设计，内在的硬件自然也十分强劲，传闻S10 在采用高通最新的骁龙855平台的同时，提供12GB内存 1TB存储的顶配版本，其中国行版S10/S10 都有望搭载最低8GB容量的内存。
假使Galaxy S10 顶配使用上了三星新发布的1TB eUFS，那么这将是首款采用单芯片1TB存储的手机，此前定价8848元的1TB版坚果R1采用了两颗512GB UFS的组合。
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